מעגל מגבר DJ עם הספק גבוה 250 וואט

עיצוב מעגלי מגבר ה- DJ MOSFET החזק המסופק במאמר זה קל למדי לבנייה וייצור נגינה של 250 וואט של מוסיקה לרמקול בעל 4 אוהם. שימוש ב- HEXFET בפלט מבטיח הגברה של זרם ומתח מפלצתי.

המעורבות של MOSFET או ליתר דיוק HEXFETs בשלב הפלט של מעגל מגבר זה של 250 וואט מגבר מבטיח הגברה גבוהה ויעילה של מתח וזרם כאחד. המעגל מציג במיוחד תכונות מרשימות כמו עיוות נמוך ומתח קיזוז חיצוני והתאמות זרם שקט.

שלב קלט מגבר

שלב פלט כוח מגבר

איך המעגל מתפקד

מעגל מגבר מוספט מצטיין זה של 250 וואט יכול לשמש כמגבר DJ בקונצרטים, מסיבות, שטחים פתוחים וכו '. העיצוב שהוא סימטרי מייצר עיוותים זניחים. בואו ננסה לנתח את פרטי המעגל:

בהתייחס לתרשים המעגל, אנו רואים כי שלבי הקלט מורכבים בעיקר משני מגברים דיפרנציאליים. הבלוקים T1 ו- T2 הם למעשה טרנזיסטורים כפולים זוגיים בהתאמה בחבילה אחת, אך אתה יכול ללכת על טרנזיסטורים נפרדים, רק וודא שה- hFes שלהם מתאימים כראוי. השתמש בכמה BC 547 ו- BC 557 עבור סוגי ה- NPN וה- PNP בהתאמה.

תצורה דיפרנציאלית היא ככל הנראה הדרך המושלמת לשילוב שני אותות, למשל כאן הערב של קלט ושל אותות המשוב כל כך יעיל.

בדרך כלל היחס בין התנגדות הקולט / הפולט של T1 קובע את ההגברה של שלב זה.
התייחסות ההפעלה DC עבור T1 ו- T2 מתקבלת מכמה טרנזיסטורים T3 ו- T4 יחד עם נוריות ה- LED הנלוות.

רשת ה- LED / טרנזיסטור הנ'ל מסייעת גם לספק מקור זרם קבוע לשלב הקלט מכיוון שהוא כמעט ולא מושפע משינויים בטמפרטורת הסביבה, אך רצוי שצריך לחבר את זוג ה- LED / טרנזיסטור על ידי הדבקתם יחד או לפחות מולחם קרוב מאוד זה על גבי PCB.

מיד לאחר קבל צימוד C1, הרשת המורכבת מ- R2, R3 ו- C2 יוצרת פילטר נמוך לעבור יעיל ומסייע בשמירה על רוחב פס לרמה המתאימה למגבר.
רשת קטנה נוספת בכניסה, הכוללת קביעה מוגדרת מראש של 1M וכמה נגדים של 2M2 מסייעת בהתאמת המתח המופנה כך שרכיב ה- DC בפלט המגבר יישאר בפוטנציאל אפס.

לאחר שלב ההפרש מוצג שלב נהג ביניים הכולל T5 ו- T7. התצורה המורכבת מ- T6, R9 ו- R17 יוצרת מעין ווסת מתח משתנה, המשמש לקביעת צריכת הזרם השקטה של ​​המעגל.

האות המוגבר מהשלב הנ'ל עובר לשלב הנהג המורכב מ- T8 ו- T9 אשר משמשים למעשה להנעת שלב הספק המוצא הכולל את HEXFETs T10 ו- T11, שם בסופו של דבר האותות עוברים הגברת זרם ומתח מסיבית.

מהדיאגרמה ניתן לזהות בבירור כי T10 הוא ערוץ p ו- T11 הוא FET בערוץ n. תצורה זו מאפשרת הגברה יעילה של זרם ומתח בשלב זה. ההגברה הכוללת מוגבלת ל -3 בשל חיווט המשוב של R22 / R23 וגם עם R8 / C2. המגבלה מבטיחה עיוות נמוך בפלט.

שלא כמו טרנזיסטורים דו-קוטביים, כאן לשלב הפלטים המשלבים HEXFET יש יתרון מובהק על פני החלק הנגדי עתיק היומין. HEXFETs הם מכשירים מקדמי טמפרטורה חיוביים מצויידים במאפיין הגלום של הגבלת מקור הניקוז שלהם מכיוון שטמפרטורת המקרה נוטה להתחמם מדי, תוך שמירה על המכשיר מפני מצבים של בריחה תרמית ונשרף.

הנגד R26 וקבל הסדרה מפצים את העכבה העולה של הרמקול בתדרים גבוהים יותר. המשרן L1 ממוקם כדי להגן על הרמקול מפני אותות שיא עולים באופן מיידי.

רשימת חלקים

• R1 = 100K
• R2 = 100K
• R3 = 2K
• R4,5,6,7 = 33 E
• R8 = 3K3,
• R9 = 1K קבוע מראש,
• R10,11,12,13 = 1K2,
• R14,15 = 470E,
• R16 = 3K3,
• R17 = 470E,
• R18,19,21,24 = 12E,
• R22 = 220, 5 וואט
• R20,25 = 220E,
• R23 = 56E, 5 וואט
• R26 = 5E6, ½ וואט
• C1 = 2.2uF, PPC,
• C2 = 1nF,
• C3 = 330pF,
• C6 = 0.1 uF, mkt,
• T3 = BC557B,
• T4 = BC547B,
• T7,9 =
  TIP32,
• T5,6,8 = TIP31,
• T10 = IRF9540,
• T11 = IRF540,

גרסה חלופית של מגבר הספק של 250 וואט שהוסבר לעיל יכולה להופיע בתרשים הבא עם כל הפרטים לגבי הרכיבים: