ה- IRF540N הוא מוסף כוח HEXFET מתקדם בעל תעלת N, ממיישר בינלאומי. המכשיר הוא מאוד תכליתי עם יכולות החלפת המתח הנוכחיות שלו, ובכך הופך לאידיאלי עבור יישומים אלקטרוניים רבים.

גליון הנתונים ופרטי האיתור של המכשיר הוסברו במאמר הבא.

“עיצוב מעגלים אנלוגיים ודיגיטליים ”

תכונות עיקריות:

נעשה שימוש בטכנולוגיית עיבוד מתקדמת וחדישה.
עמידות נמוכה במיוחד לאורך נתיב עומס. חלקת dv / dt גמישה.
יכולת סובלנות לטמפרטורת פעולה גבוהה ככל 175 מעלות צלזיוס.
יכולת החלפה מהירה מאוד.
עמיד לחלוטין כנגד זרמי מפולות או שיא.

תמונת Pinout

מגבלות מקסימליות נסבלות של IRF540N) נקבעות תחת:

אני ד = מקסימום 33 אמפר ב -10 וולט (VGS), זהו יכולת הטיפול המרבית של המכשיר על פני הניקוז למקור, דרך העומס, עם מתח שער ב -10 וולט, בטמפרטורות רגילות (25 עד 35 מעלות צלזיוס).

אני DM = מקסימום 110 אמפר, זה יכולת הטיפול הנוכחית המרבית של המכשיר על פני הניקוז למקור, דרך העומס, במצב פועם (לא רציף).

PD = מקסימום 130 וואט, ההספק המקסימלי שה- FET יכול להפיץ עם גוף קירור אינסופי (מגניב)

ו GS = 10 וולט אופייני +/- 20%. זהו מתח ההדק המרבי שעשוי להיות מיושם על פני השער והמקור לביצועים מיטביים.

V (BR) DSS = 100 וולט, זהו המתח המקסימלי שעשוי להיות מופעל על פני הניקוז למקור ההתקן.

אזורי יישומים

התקן זה מתאים ביותר ליישומי מיתוג DC בעלי הספק גבוה, כגון ספקי SMPS זרם גבוה, מעגלי מהפך פריטים קומפקטיים, מעגלי מהפך ליבה מברזל, ממירי באק-בוסט, מגברי כוח, בקרי מהירות מנוע, רובוטיקה וכו '.

“כיצד לייצר מחולל אלקטרומגנטי ”

כיצד לחבר IRF540N MOSFET

זה די פשוט, ויש לעשות זאת כמוסבר בנקודות הבאות:

רצוי לחבר את המקור לקרקע או לקו האספקה השלילי.

יש לחבר את הניקוז למסוף החיובי של האספקה באמצעות העומס שצריך להפעיל על ידי המכשיר.

לבסוף, השער שהוא מוליך ההדק של המכשיר צריך להיות מחובר לנקודת ההדק של המעגל, קלט ההדק הזה צריך להיות רצוי אספקת + 5V ממקור לוגי CMOS.

אם קלט ההדק אינו מקור לוגי וודא שהשער מחובר לצמיתות לקרקע באמצעות נגד בעל ערך גבוה.

כאשר משתמשים במכשיר למיתוג עומסים אינדוקטיביים כמו שנאי או מנוע, יש לחבר בדרך כלל דיודת זבוב על פני העומס, כאשר הקתודה של הדיודה מחוברת לצד החיובי של העומס.